Blume Elektronik est heureux de présenter la dernière gamme de produits de Potens Semiconductor, spécialisée dans les MOSFET de haute qualité. Connus pour leur efficacité et leur fiabilité, ces dispositifs sont spécialement conçus pour les applications nécessitant des tensions drain-source élevées et des courants de drain importants. Les quatre nouveaux modèles, PDP0002AG, PDT0002AG, PDH0002AG et PDH0902AG, sont parfaits pour les conceptions électroniques avancées et offrent une solution robuste pour vos besoins.
Utilisation prévue des MOSFET canal N avec 100 V
Les MOSFET à canal N avec une tension drain-source de 100 V sont demandés dans de nombreuses applications hautes performances. Ils sont utilisés dans des domaines tels que l’alimentation électrique, le secteur automobile, les installations industrielles et la conversion d’énergie. Ces MOSFET sont idéaux pour les applications nécessitant un rendement élevé, des temps de commutation rapides et une faible dissipation de puissance. Leur capacité à gérer des courants élevés les rend indispensables dans les domaines nécessitant un contrôle de puissance robuste et fiable.
Comparaison des types de forfaits
TO-220
Avantages : Haute résilience thermique, installation facile, bonne disponibilité.
Inconvénients : Une taille de corps plus grande, peut ne pas être idéale pour les conceptions compactes.
SUPER
Avantages : taille compacte, capacité de charge de courant élevée, dissipation thermique efficace.
Inconvénients : Assemblage plus complexe par rapport au TO-220.
TO-263
Avantages : Bonne dissipation thermique, adapté au montage en surface, densité de puissance élevée.
Inconvénients : Prix plus élevé par rapport au TO-220.
Comme d’habitude chez Potens, les produits sont également disponibles en variante AEC-Q101 sur demande. Votre intérêt est piqué ? Des échantillons sont disponibles dans de brefs délais, les fiches techniques sont disponibles !
